Mô-đun PIN Si 850nm

Model: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Mô tả ngắn:

Đó là mô-đun photodiode Si PIN 850nm với mạch tiền khuếch đại cho phép khuếch đại tín hiệu dòng điện yếu và chuyển đổi thành tín hiệu điện áp để đạt được quá trình chuyển đổi khuếch đại tín hiệu quang điện-quang điện tử.

được trích dẫn Tải xuống

Thông số kỹ thuật

Thẻ sản phẩm

Đặc trưng

Đáp ứng tốc độ cao
độ nhạy cao

Các ứng dụng

cầu chì laser

Thông số quang điện（@Ta=22±3℃）

Mục #	danh mục gói	Đường kính bề mặt cảm quang (mm)	phản ứng nhanh	thời gian tăng (n)	dải động （dB）	điện áp hoạt động (V)	điện áp tiếng ồn (mV)	ghi chú
Mục #	danh mục gói	Đường kính bề mặt cảm quang (mm)	λ=850nm，φ_e=1μW		λ=850nm	điện áp hoạt động (V)	điện áp tiếng ồn (mV)	ghi chú
GD4213Y	ĐẾN-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Góc tới: 0°, độ truyền qua 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10×0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Lưu ý: Tải thử nghiệm của GD4213Y là 50Ω, còn lại là 1MΩ