• Chuyên nghiệp tạo nên chất lượng, Dịch vụ tạo nên giá trị!
  • sales@erditechs.com
dfbf

Dòng mô-đun InGaAS-APD

Dòng mô-đun InGaAS-APD

Kiểu máy: GD6510Y/GD6511Y/GD6512Y

Mô tả ngắn:

Thiết bị này là một mô-đun photodiode InGaAs avalanche với mạch tiền khuếch đại tích hợp, có thể chuyển đổi tín hiệu yếu.Sau khi tín hiệu dòng điện được khuếch đại, nó được chuyển đổi thành đầu ra tín hiệu điện áp để thực hiện quá trình chuyển đổi “khuếch đại tín hiệu quang-điện-tín hiệu”.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Thông số kỹ thuật

ĐẶC TRƯNG

ỨNG DỤNG

Thẻ sản phẩm

Đặc tính quang điện (@Ta=22±3)

Người mẫu

GD6510Y

GD6511Y

GD6512Y

hình thức gói

ĐẾN-8

ĐẾN-8

ĐẾN-8

Đường kính bề mặt cảm quang (mm)

0,2

0,5

0,08

Phạm vi đáp ứng quang phổ (nm)

1000~1700

1000~1700

1000~1700

Điện áp đánh thủng (V)

30~70

30~70

30~70

Độ nhạy M=10 l=1550nm(kV/W)

340

340

340

Thời gian tăng (ns)

5

10

2.3

Băng thông (MHz)

70

35

150

Công suất nhiễu tương đương (pW/√Hz)

0,15

0,21

0,11

Hệ số nhiệt độ điện áp làm việc T=-40℃~85℃(V/℃)

0,12

0,12

0,12

Độ đồng tâm (μm)

≤50

≤50

≤50

Các mô hình thay thế có cùng hiệu suất trên toàn thế giới

C3059-1550-R2A

/

C3059-1550-R08B

Cấu trúc chip mặt phẳng phía trước

Trả lời nhanh

Độ nhạy máy dò cao

Laser khác nhau

nắp đậy

cảnh báo laze


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Cấu trúc chip mặt phẳng phía trước

    Trả lời nhanh

    Độ nhạy máy dò cao

    Laser khác nhau

    nắp đậy

    cảnh báo laze