Sê-ri ống đơn 800nmAPD
| Đặc tính quang điện (＠Ta＝22±3℃) | |||||
| Mô hình | GD5210Y-1-2-T046 | GD5210Y-1-5-T046 | GD5210Y-1-2-LCC3 | GD5210Y-1-5 -LCC3 | |
| hình thức gói | ĐẾN-46 | ĐẾN-46 | LCC3 | LCC3 | |
| Đường kính bề mặt cảm quang (mm) | 0,23 | 0,50 | 0,23 | 0,50 | |
| Phạm vi đáp ứng quang phổ (nm) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | |
| Bước sóng đáp ứng cực đại (nm) | 800 | 800 | 800 | 800 | |
| λ=800nm Φ=1μW M=100(A/W) | 55 | 55 | 55 | 55 | |
| Hiện tại tối | Điển hình | 0,05 | 0,10 | 0,05 | 0,10 |
| M=100(nA) | tối đa | 0,2 | 0,4 | 0,2 | 0,4 |
| Thời gian đáp ứng λ=800nm R1=50Ω(ns) | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | |
| Hệ số nhiệt độ điện áp làm việc T=-40℃~85℃(V/℃) | 0,5 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | |
| Tổng điện dung M=100 f=1MHz(pF) | 1,5 | 3.0 | 1,5 | 3.0 | |
| Điện áp đánh thủng IR=10μA(V) | tối thiểu | 80 | 80 | 80 | 80 |
| tối đa | 160 | 160 | 160 | 160 | |
Cấu trúc chip mặt phẳng phía trước
Đáp ứng tốc độ cao
tăng cao
Điện dung đường giao nhau thấp
tiếng ồn thấp
Laser khác nhau
nắp đậy
cảnh báo laze
